BLP05H6150XRY è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BLP05H6150XRY, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BLP05H6150XRY via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BLP05H6150XRY con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BLP05H6150XRY
- Modello di prodotti:
- BLP05H6150XRY
- fabbricante:
- Ampleon
- Descrizione:
- RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
- Stato senza piombo:
- Piombo esente da esenzione / RoHS conforme all'esenzione
- Quantità di magazzino:
- 44618 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BLP05H6150XRY.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 50V |
| Tensione - nominale: | 135V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-HSOPF |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 150W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-1223-2 |
| Altri nomi: | 1603-1029-2 934069323518 BLP05H6150XRM BLP05H6150XRY-ND |
| Figura di rumore: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| Guadagno: | 27dB |
| Frequenza: | 108MHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 27dB 150W 4-HSOPF |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BLP05H6150XRY
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H605Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
 |
BLP10H603AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
 |
BLP05M7200Y | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1140 | Inchiesta |
 |
BLP05H6250XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | Inchiesta |
 |
BLP05H635XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | Inchiesta |
 |
BLP0427M9S20Z | Ampleon | BLP0427M9S20/TO270/REELDP | Inchiesta |
|
BLP10H603Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
|
BLP05H6250XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | Inchiesta |
 |
BLP0427M9S20GZ | Ampleon | BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP | Inchiesta |
 |
BLP05H6700XRGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Inchiesta |
|
BLP05H6110XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | Inchiesta |
|
BLP05H6150XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | Inchiesta |
|
BLP05H675XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | Inchiesta |
|
BLP05H675XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | Inchiesta |
|
BLP05H635XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | Inchiesta |
|
BLP05H6350XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | Inchiesta |
 |
BLP05H6700XRY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V SOT1138-2 | Inchiesta |
|
BLP05H6110XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | Inchiesta |
|
BLP10H605AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
|
BLP05H6350XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi