BLP10H605AZ è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BLP10H605AZ, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BLP10H605AZ via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BLP10H605AZ con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BLP10H605AZ
- Modello di prodotti:
- BLP10H605AZ
- fabbricante:
- Ampleon
- Descrizione:
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 58031 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BLP10H605AZ.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 50V |
| Tensione - nominale: | 104V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 12-HVSON (6x4) |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 12-VDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 1603-1006-2 1603-1006-ND 934068214531 BLP10H605AZ-ND |
| Figura di rumore: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 22.4dB |
| Frequenza: | 860MHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 30mA 860MHz 22.4dB 5W 12-HVSON (6x4) |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BLP10H605AZ
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP05H6700XRGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Inchiesta |
|
BLP10H6120PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | Inchiesta |
 |
BLP10H690PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Inchiesta |
 |
BLP10H610AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
|
BLP10H660PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Inchiesta |
|
BLP10H630PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | Inchiesta |
 |
BLP10H603AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
|
BLP10H603Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
|
BLP10H605Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
 |
BLP05H635XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | Inchiesta |
|
BLP05H6350XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | Inchiesta |
 |
BLP05M7200Y | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1140 | Inchiesta |
|
BLP10H660PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | Inchiesta |
|
BLP05H675XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | Inchiesta |
 |
BLP05H6700XRY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V SOT1138-2 | Inchiesta |
|
BLP10H630PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Inchiesta |
|
BLP10H6120PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Inchiesta |
|
BLP05H675XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | Inchiesta |
|
BLP10H610Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
|
BLP05H635XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | Inchiesta |
Latest Notizie
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro