BLF6G20LS-75,112 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BLF6G20LS-75,112, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BLF6G20LS-75,112 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BLF6G20LS-75,112 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BLF6G20LS-75,112
- Modello di prodotti:
- BLF6G20LS-75,112
- fabbricante:
- Ampleon
- Descrizione:
- RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 28156 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BLF6G20LS-75,112.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 28V |
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT502B |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 29.5W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | SOT-502B |
| Altri nomi: | 568-8645 934060922112 BLF6G20LS-75 BLF6G20LS-75,112-ND BLF6G20LS-75-ND BLF6G20LS75112 |
| Figura di rumore: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 19dB |
| Frequenza: | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet LDMOS 28V 550mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 19dB 29.5W SOT502B |
| Valutazione attuale: | 18A |
| Corrente - Test: | 550mA |
| Numero di parte base: | BLF6G20 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BLF6G20LS-75,112
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G20LS-140,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | Inchiesta |
|
BLF6G20LS-180RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | Inchiesta |
 |
BLF6G20S-45,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B | Inchiesta |
 |
BLF6G22-180RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | Inchiesta |
|
BLF6G20-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A | Inchiesta |
|
BLF6G20LS-180RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | Inchiesta |
 |
BLF6G21-10G,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Inchiesta |
 |
BLF6G20S-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B | Inchiesta |
|
BLF6G20-75,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | Inchiesta |
|
BLF6G20-40,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A | Inchiesta |
|
BLF6G20-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A | Inchiesta |
|
BLF6G20LS-110,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | Inchiesta |
 |
BLF6G20S-230PRN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT539B | Inchiesta |
 |
BLF6G22-180PN,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | Inchiesta |
|
BLF6G20LS-140,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | Inchiesta |
|
BLF6G20S-230PRN:11 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B | Inchiesta |
|
BLF6G21-10G,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Inchiesta |
|
BLF6G22-180PN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | Inchiesta |
|
BLF6G20LS-110,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | Inchiesta |
|
BLF6G20LS-75,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi