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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF6G20LS-110,118
BLF6G20LS-110,118
BLF6G20LS-110,118
Modello di prodotti:
BLF6G20LS-110,118
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
28392 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
BLF6G20LS-110,118.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:SOT502B
Serie:-
Alimentazione - uscita:25W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-502B
Altri nomi:934060896118
BLF6G20LS-110 /T3
BLF6G20LS-110 /T3-ND
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:19dB
Frequenza:1.93GHz ~ 1.99GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 19dB 25W SOT502B
Valutazione attuale:29A
Corrente - Test:900mA
Numero di parte base:BLF6G20
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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BLF6G20-180PN,112 Image BLF6G20-180PN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A Inchiesta
BLF6G20S-230PRN:11 Image BLF6G20S-230PRN:11 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B Inchiesta
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BLF6G20-45,112 Image BLF6G20-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A Inchiesta
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BLF6G20-230P NXP Semiconductors / Freescale IC BASESTATION FINAL SOT502A Inchiesta
BLF6G20LS-180RN:11 Image BLF6G20LS-180RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B Inchiesta
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