APTM10TDUM09PG è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APTM10TDUM09PG, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APTM10TDUM09PG via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APTM10TDUM09PG con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APTM10TDUM09PG
- Modello di prodotti:
- APTM10TDUM09PG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 59334 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APTM10TDUM09PG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6-P |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 390W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9875pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 350nC @ 10V |
| Tipo FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 139A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTM10TDUM09PG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120A80FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | Inchiesta |
|
APTM120A20SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | Inchiesta |
|
APTM10SKM05TG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 278A SP4 | Inchiesta |
|
APTM10UM02FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 570A SP6 | Inchiesta |
|
APTM120A15FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | Inchiesta |
 |
APTM10UM01FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 | Inchiesta |
|
APTM120A29FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | Inchiesta |
 |
APTM10TAM19FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | Inchiesta |
|
APTM10DUM02G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 | Inchiesta |
|
APTM120DA15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | Inchiesta |
|
APTM120A20DG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | Inchiesta |
|
APTM120A65FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | Inchiesta |
 |
APTM10HM05FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 | Inchiesta |
|
APTM10TDUM19PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | Inchiesta |
|
APTM10HM09FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | Inchiesta |
 |
APTM10HM19FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 | Inchiesta |
|
APTM10SKM02G | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 495A SP6 | Inchiesta |
|
APTM10DUM05TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 | Inchiesta |
|
APTM10HM09FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 | Inchiesta |
|
APTM10TAM09FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P | Inchiesta |
Latest Notizie
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS