Το APTM10TDUM09PG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTM10TDUM09PG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTM10TDUM09PG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTM10TDUM09PG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTM10TDUM09PG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTM10TDUM09PG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59334 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTM10TDUM09PG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2.5mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP6-P |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 390W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 9875pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 350nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 100V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 139A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTM10TDUM09PG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120A80FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | Έρευνα |
|
APTM120A20SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | Έρευνα |
|
APTM10SKM05TG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 278A SP4 | Έρευνα |
|
APTM10UM02FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 570A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120A15FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | Έρευνα |
 |
APTM10UM01FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120A29FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | Έρευνα |
 |
APTM10TAM19FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | Έρευνα |
|
APTM10DUM02G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120DA15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120A20DG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120A65FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | Έρευνα |
 |
APTM10HM05FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 | Έρευνα |
|
APTM10TDUM19PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | Έρευνα |
|
APTM10HM09FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | Έρευνα |
 |
APTM10HM19FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 | Έρευνα |
|
APTM10SKM02G | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 495A SP6 | Έρευνα |
|
APTM10DUM05TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 | Έρευνα |
|
APTM10HM09FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 | Έρευνα |
|
APTM10TAM09FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο