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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGF15H120T1G
APTGF15H120T1G
Modello di prodotti:
APTGF15H120T1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
53334 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APTGF15H120T1G.pdf2.APTGF15H120T1G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.7V @ 15V, 15A
Contenitore dispositivo fornitore:SP1
Serie:-
Potenza - Max:140W
Contenitore / involucro:SP1
temperatura di esercizio:-
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:1nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
Descrizione dettagliata:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 25A 140W Chassis Mount SP1
Corrente - Cutoff collettore (max):250µA
Corrente - collettore (Ic) (max):25A
Configurazione:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

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Parti relative per APTGF15H120T1G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APTGF150H120G Image APTGF150H120G Microsemi IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6 Inchiesta
APTGF150A120T3WG Image APTGF150A120T3WG Microsemi IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 Inchiesta
APTGF165DA60D1G Microsemi IGBT 600V 230A 730W D1 Inchiesta
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APTGF165A60D1G Image APTGF165A60D1G Microsemi IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 Inchiesta
APTGF180H60G Image APTGF180H60G Microsemi POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6 Inchiesta
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