APTGF15H120T1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGF15H120T1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGF15H120T1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGF15H120T1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGF15H120T1G
- رقم القطعة:
- APTGF15H120T1G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53334 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTGF15H120T1G.pdf2.APTGF15H120T1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.7V @ 15V, 15A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP1 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 140W |
| حزمة / كيس: | SP1 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 1nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 25A 140W Chassis Mount SP1 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 25A |
| ترتيب: | Full Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGF15H120T1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGF150A120TG | Microsemi | POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4 | تحقيق |
 |
APTGF150H120G | Microsemi | IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
 |
APTGF150A120T3WG | Microsemi | IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 | تحقيق |
 |
APTGF165DA60D1G | Microsemi | IGBT 600V 230A 730W D1 | تحقيق |
|
APTGF180A60TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 | تحقيق |
 |
APTGF165A60D1G | Microsemi | IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 | تحقيق |
 |
APTGF180H60G | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6 | تحقيق |
|
APTGF180DU60TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT DUAL SP4 | تحقيق |
 |
APTGF150DA120TG | Microsemi | IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 | تحقيق |
|
APTGF165SK60D1G | Microsemi | IGBT 600V 230A 730W D1 | تحقيق |
|
APTGF15X120T3G | Microsemi | IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGF15H120T3G | Microsemi | IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGF15A120T1G | Microsemi | IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1 | تحقيق |
|
APTGF150SK120TG | Microsemi | IGBT 1200V 200A 961W SP4 | تحقيق |
|
APTGF150DH120G | Microsemi | IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTGF150A60T3AG | Microsemi | MOD IGBT NPT 600V 230A SP3 | تحقيق |
 |
APTGF150DU120TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 | تحقيق |
 |
APTGF150A120T3AG | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3 | تحقيق |
 |
APTGF180DH60G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6 | تحقيق |
|
APTGF180DA60TG | Microsemi | IGBT 600V 220A 833W SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل