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APT6040BN
- Modello di prodotti:
- APT6040BN
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 59217 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT6040BN.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247AD |
| Serie: | POWER MOS IV® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 310W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2950pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT6040BN
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT60D100LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | Inchiesta |
|
APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT5SM170B | Microsemi | MOSFET N-CH 700V TO247 | Inchiesta |
|
APT6030BN | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | Inchiesta |
 |
APT60D120BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247 | Inchiesta |
|
APT58MJ50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP | Inchiesta |
|
APT5SM170S | Microsemi | MOSFET N-CH 700V D3PAK | Inchiesta |
|
APT60D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 60A TO247 | Inchiesta |
|
APT6040BNG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | Inchiesta |
|
APT60D30LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 300V 60A TO264 | Inchiesta |
|
APT60D100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | Inchiesta |
|
APT6017LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | Inchiesta |
|
APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | Inchiesta |
|
APT60D20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264 | Inchiesta |
|
APT5F100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 | Inchiesta |
 |
APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | Inchiesta |
 |
APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | Inchiesta |
|
APT60D120SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3 | Inchiesta |
|
APT60D30BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | Inchiesta |
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