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APT6017LLLG
- Modello di prodotti:
- APT6017LLLG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47289 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT6017LLLG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 4500pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | TO-264 [L] |
| Vgs (th) (max) a Id: | 170 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-264-3, TO-264AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT6017LLLG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 100nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 2.5mA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| rapporto di capacità: | 500W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT6017LLLG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT6040BN | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | Inchiesta |
 |
APT60D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 60A TO247 | Inchiesta |
|
APT6030BN | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | Inchiesta |
 |
APT60D120SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3 | Inchiesta |
|
APT5SM170B | Microsemi | MOSFET N-CH 700V TO247 | Inchiesta |
|
APT58MJ50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT58M80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | Inchiesta |
|
APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | Inchiesta |
|
APT60D100LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | Inchiesta |
|
APT58M50JU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT5SM170S | Microsemi | MOSFET N-CH 700V D3PAK | Inchiesta |
|
APT5F100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 | Inchiesta |
|
APT6017LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | Inchiesta |
|
APT60D120BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247 | Inchiesta |
|
APT60D20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264 | Inchiesta |
|
APT6040BNG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | Inchiesta |
|
APT60D100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | Inchiesta |
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