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APT24F50B
- Modello di prodotti:
- APT24F50B
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 37437 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT24F50B.pdf2.APT24F50B.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 240 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 335W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | APT24F50BMP APT24F50BMP-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 21 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3630pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 24A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT24F50B
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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APT25GLQ120JCU2 | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 | Inchiesta |
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APT23F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK | Inchiesta |
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APT25GN120SG | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W D3PAK | Inchiesta |
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APT23F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 | Inchiesta |
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APT24M120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX | Inchiesta |
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APT25GF120JCU2 | Microsemi | MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 | Inchiesta |
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APT24F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK | Inchiesta |
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APT22F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK | Inchiesta |
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APT22F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 | Inchiesta |
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APT20SCD120S | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK | Inchiesta |
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APT24M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 | Inchiesta |
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APT22F120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 | Inchiesta |
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APT25GN120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | Inchiesta |
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APT22F120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX | Inchiesta |
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APT24M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK | Inchiesta |
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