APT23F60S è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT23F60S, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT23F60S via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT23F60S con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT23F60S
- Modello di prodotti:
- APT23F60S
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 23997 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT23F60S.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D3Pak |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 290 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 415W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4415pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 24A (Tc) 415W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT23F60S
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT22F120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 | Inchiesta |
 |
APT24M120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX | Inchiesta |
|
APT22F120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT25GN120BG | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W TO247 | Inchiesta |
|
APT24M120L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 | Inchiesta |
|
APT23F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 | Inchiesta |
|
APT25GN120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | Inchiesta |
 |
APT21M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT25GF120JCU2 | Microsemi | MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 | Inchiesta |
 |
APT24F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK | Inchiesta |
|
APT24M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 | Inchiesta |
|
APT25GLQ120JCU2 | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 | Inchiesta |
 |
APT24M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK | Inchiesta |
|
APT22F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK | Inchiesta |
|
APT22F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT24F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT20SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 32A TO220 | Inchiesta |
 |
APT20SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A | Inchiesta |
|
APT20SCD120S | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK | Inchiesta |
|
APT22F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato