3135GN-170M
Modello di prodotti:
3135GN-170M
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
35108 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
3135GN-170M.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - nominale:150V
Tensione - uscita:185W
Tensione - Ripartizione:55QP
Serie:-
Stato RoHS:Bulk
Polarizzazione:55QP
Figura di rumore:60V
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:3135GN-170M
Frequenza:3.1GHz ~ 3.5GHz
Tipo FET:11.5dB ~ 11.8dB
Descrizione espansione:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):500mA
Descrizione:FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Valutazione attuale:5mA
Corrente - Test:-
Corrente - collettore (Ic) (max):2 N-Channel (Dual) Common Source
Email:[email protected]

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