3135GN-170M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 3135GN-170M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 3135GN-170M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 3135GN-170M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
3135GN-170M
- رقم القطعة:
- 3135GN-170M
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35108 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 3135GN-170M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 150V |
| الجهد - إخراج: | 185W |
| الجهد - انهيار: | 55QP |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| الاستقطاب: | 55QP |
| الضوضاء الشكل: | 60V |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 3135GN-170M |
| تردد: | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
| نوع FET: | 11.5dB ~ 11.8dB |
| وصف موسع: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 500mA |
| وصف: | FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP |
| التصويت الحالي: | 5mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل3135GN-170M
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل