BLF6G20-230PRN,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF6G20-230PRN,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF6G20-230PRN,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF6G20-230PRN,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF6G20-230PRN,112
- رقم القطعة:
- BLF6G20-230PRN,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20655 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF6G20-230PRN,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 65W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT539A |
| اسماء اخرى: | 934063293112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 17.5dB |
| تردد: | 1.8GHz ~ 1.88GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2A 1.8GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 65W SOT539A |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 2A |
| رقم جزء القاعدة: | BLF6G20 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G20-230PRN,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G20-180RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF6G20LS-140,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G20-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G20LS-110,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G15LS-40RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT1135B | تحقيق |
 |
BLF6G15LS-500H,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF6G15LS-250PBRN: | Ampleon | RF FET 65V 18.5DB SOT1110B | تحقيق |
|
BLF6G20-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G20LS-140,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G20-230PRN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF6G20-75,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF6G20-230P | NXP Semiconductors / Freescale | IC BASESTATION FINAL SOT502A | تحقيق |
|
BLF6G15L-500H,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF6G20-40,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G20-110,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF6G15L-40BRN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A | تحقيق |
 |
BLF6G15LS-250PBRN, | Ampleon | RF FET 65V 18.5DB SOT1110B | تحقيق |
|
BLF6G20-180PN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF6G20LS-180RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G20LS-110,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025