2SA1382,T6MIBF(J
2SA1382,T6MIBF(J
Modello di prodotti:
2SA1382,T6MIBF(J
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
44371 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
2SA1382,T6MIBF(J.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:500mV @ 33mA, 1A
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92MOD
Serie:-
Potenza - Max:900mW
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Altri nomi:2SA1382T6MIBF(J
2SA1382T6MIBFJ
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:110MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 110MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:150 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):2A
Email:[email protected]

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