2SA1382,T6MIBF(J
2SA1382,T6MIBF(J
Modèle de produit:
2SA1382,T6MIBF(J
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
44371 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
2SA1382,T6MIBF(J.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 33mA, 1A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-92MOD
Séries:-
Puissance - Max:900mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Autres noms:2SA1382T6MIBF(J
2SA1382T6MIBFJ
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:110MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 110MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:150 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):2A
Email:[email protected]

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