TSM061NA03CV RGG tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TSM061NA03CV RGG, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TSM061NA03CV RGG melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TSM061NA03CV RGG dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
TSM061NA03CV RGG
- Nomor bagian:
- TSM061NA03CV RGG
- Pabrikan:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 30580 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- TSM061NA03CV RGG.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | 8-PDFN (3x3) |
| Seri: | - |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 6.1 mOhm @ 16A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 44.6W (Tc) |
| Pengemasan: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Case: | 8-PowerWDFN |
| Nama lain: | TSM061NA03CV RGGCT TSM061NA03CV RGGCT-ND TSM061NA03CVRGGCT |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 30 Weeks |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 1136pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.3nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 4.5V, 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 30V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 30V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk TSM061NA03CV RGG
Latest Berita
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat