TK8A10K3,S5Q
TK8A10K3,S5Q
Nomor bagian:
TK8A10K3,S5Q
Pabrikan:
Toshiba Semiconductor and Storage
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
45314 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
TK8A10K3,S5Q.pdf

pengantar

TK8A10K3,S5Q tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TK8A10K3,S5Q, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TK8A10K3,S5Q melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TK8A10K3,S5Q dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-220SIS
Seri:U-MOSIV
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 4A, 10V
Power Disipasi (Max):18W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-220-3 Full Pack
Nama lain:TK8A10K3,S5Q(M
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3S5QM-ND
Suhu Operasional:150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:530pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12.9nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):100V
Detil Deskripsi:N-Channel 100V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar