TK50P04M1(T6RSS-Q) tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TK50P04M1(T6RSS-Q), kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TK50P04M1(T6RSS-Q) melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TK50P04M1(T6RSS-Q) dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
TK50P04M1(T6RSS-Q)
- Nomor bagian:
- TK50P04M1(T6RSS-Q)
- Pabrikan:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 31756 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- TK50P04M1(T6RSS-Q).pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | DP |
| Seri: | U-MOSVI-H |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 8.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 60W (Tc) |
| Pengemasan: | Original-Reel® |
| Paket / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Nama lain: | TK50P04M1(T6RSSQ)DKR |
| Suhu Operasional: | 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 2600pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 4.5V, 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 40V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 40V 50A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DP |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 50A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk TK50P04M1(T6RSS-Q)
Latest Berita
- Rencana Mikron untuk Membangun Pabrik, NAND memori flash dengan harga tinggi atau pemeliharaan
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru