TK22A10N1,S4X
TK22A10N1,S4X
Nomor bagian:
TK22A10N1,S4X
Pabrikan:
Toshiba Semiconductor and Storage
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
32161 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
TK22A10N1,S4X.pdf

pengantar

TK22A10N1,S4X tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TK22A10N1,S4X, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TK22A10N1,S4X melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TK22A10N1,S4X dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 300µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-220SIS
Seri:U-MOSVIII-H
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:13.8 mOhm @ 11A, 10V
Power Disipasi (Max):30W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-220-3 Full Pack
Nama lain:TK22A10N1,S4X(S
TK22A10N1,S4X-ND
TK22A10N1S4X
Suhu Operasional:150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):100V
Detil Deskripsi:N-Channel 100V 22A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar