TK11A60D(STA4,Q,M)
TK11A60D(STA4,Q,M)
Nomor bagian:
TK11A60D(STA4,Q,M)
Pabrikan:
Toshiba Semiconductor and Storage
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
28787 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
1.TK11A60D(STA4,Q,M).pdf2.TK11A60D(STA4,Q,M).pdf

pengantar

TK11A60D(STA4,Q,M) tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TK11A60D(STA4,Q,M), kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TK11A60D(STA4,Q,M) melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TK11A60D(STA4,Q,M) dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-220SIS
Seri:π-MOSVII
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 5.5A, 10V
Power Disipasi (Max):45W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-220-3 Full Pack
Nama lain:TK11A60D(STA4QM)
TK11A60DSTA4QM
Suhu Operasional:150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1550pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):600V
Detil Deskripsi:N-Channel 600V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar