TK100L60W,VQ
TK100L60W,VQ
Nomor bagian:
TK100L60W,VQ
Pabrikan:
Toshiba Semiconductor and Storage
Deskripsi:
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
29933 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
TK100L60W,VQ.pdf

pengantar

TK100L60W,VQ tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TK100L60W,VQ, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TK100L60W,VQ melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TK100L60W,VQ dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-3P(L)
Seri:DTMOSIV
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 50A, 10V
Power Disipasi (Max):797W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-3PL
Nama lain:TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
Suhu Operasional:150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:15000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:360nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:Super Junction
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):600V
Detil Deskripsi:N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar