SSM6N55NU,LF(T tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk SSM6N55NU,LF(T, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk SSM6N55NU,LF(T melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli SSM6N55NU,LF(T dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
SSM6N55NU,LF(T
- Nomor bagian:
- SSM6N55NU,LF(T
- Pabrikan:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Deskripsi:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 24683 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- SSM6N55NU,LF(T.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 100µA |
| Paket Perangkat pemasok: | 6-µDFN(2x2) |
| Seri: | - |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 46 mOhm @ 4A, 10V |
| Listrik - Max: | 1W |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Nama lain: | SSM6N55NU,LF SSM6N55NU,LF(B SSM6N55NULF SSM6N55NULF(TTR SSM6N55NULFTR SSM6N55NULFTR-ND |
| Suhu Operasional: | 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 280pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
| FET Jenis: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fitur FET: | Logic Level Gate |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 30V |
| Detil Deskripsi: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk SSM6N55NU,LF(T
Latest Berita
- Qorvo meluncurkan pendahuluan 5G MMIMO yang luar biasa di industri ini
- Inventaris Siklus Simulasi Bottoming Out, AI Menggerakkan Permintaan Memori Flash Berlanjut
- Rencana Mikron untuk Membangun Pabrik, NAND memori flash dengan harga tinggi atau pemeliharaan
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC