RM25C512C-LSNI-T tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk RM25C512C-LSNI-T, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk RM25C512C-LSNI-T melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli RM25C512C-LSNI-T dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
RM25C512C-LSNI-T
- Nomor bagian:
- RM25C512C-LSNI-T
- Pabrikan:
- Adesto Technologies
- Deskripsi:
- IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 26088 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- RM25C512C-LSNI-T.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman: | 100µs, 5ms |
| Tegangan - Pasokan: | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Teknologi: | CBRAM |
| Paket Perangkat pemasok: | 8-SOIC |
| Seri: | Mavriq™ |
| Pengemasan: | Original-Reel® |
| Paket / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Nama lain: | 1265-1218-6 |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| memory Type: | Non-Volatile |
| Ukuran memori: | 512kb (128B Page Size) |
| Antarmuka Memori: | SPI |
| Format Memori: | CBRAM® |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detil Deskripsi: | CBRAM Memory IC 512kb (128B Page Size) SPI 20MHz 8-SOIC |
| Frekuensi Jam: | 20MHz |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk RM25C512C-LSNI-T
Latest Berita
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan