PSMN6R3-120ESQ tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk PSMN6R3-120ESQ, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk PSMN6R3-120ESQ melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli PSMN6R3-120ESQ dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
PSMN6R3-120ESQ
- Nomor bagian:
- PSMN6R3-120ESQ
- Pabrikan:
- Nexperia
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 27705 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- PSMN6R3-120ESQ.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | I2PAK |
| Seri: | - |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 405W (Tc) |
| Pengemasan: | Tube |
| Paket / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Nama lain: | 1727-1508 568-10988-5 568-10988-5-ND 934067856127 PSMN6R3-120ESQ-ND |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 11384pF @ 60V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 207.1nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 120V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk PSMN6R3-120ESQ
Latest Berita
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat