MX2N4856 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk MX2N4856, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk MX2N4856 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli MX2N4856 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
MX2N4856
- Nomor bagian:
- MX2N4856
- Pabrikan:
- Microsemi
- Deskripsi:
- N CHANNEL JFET
- Status Bebas Timbal:
- Berisi timbal / RoHS tidak patuh
- Jumlah stok:
- 45367 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- MX2N4856.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - cutoff (VGS off) @ Id: | 4V @ 0.5nA |
| Tegangan - Breakdown (V (BR) GSS): | 40V |
| Paket Perangkat pemasok: | TO-18 (TO-206AA) |
| Seri: | Military, MIL-PRF-19500/385 |
| Resistance - RDS (On): | 25 Ohms |
| Listrik - Max: | 360mW |
| Pengemasan: | Bulk |
| Paket / Case: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Suhu Operasional: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 18pF @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 40V |
| Detil Deskripsi: | JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| Saat ini - Tiriskan (IDSS) @ VDS (Vgs = 0): | 175mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk MX2N4856
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS