MX2N4856 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für MX2N4856, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MX2N4856 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie MX2N4856 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
MX2N4856
- Artikelnummer:
- MX2N4856
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- N CHANNEL JFET
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 45367 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MX2N4856.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id: | 4V @ 0.5nA |
| Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS): | 40V |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-18 (TO-206AA) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/385 |
| Resistance - RDS (on): | 25 Ohms |
| Leistung - max: | 360mW |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 18pF @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0): | 175mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für MX2N4856
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
MX2N4392 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4391 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
 |
MX29VS128FBXJI-80G | Macronix | IC FLASH 128MBIT | Anfrage |
 |
MX29SL800CTXEI-90G | Macronix | IC FLASH 8M PARALLEL 48LFBGA | Anfrage |
|
MX2N4392UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4860UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4861 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4857 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
 |
MX29SL802CTXHI-90G | Macronix | IC FLASH 8M PARALLEL 48WFBGA | Anfrage |
|
MX2N4860 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4859 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4858UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4391UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4857UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX29SL802CBXHI-90G | Macronix | IC FLASH 8M PARALLEL 48WFBGA | Anfrage |
|
MX2N4393UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4393 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4856UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N4858 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
|
MX2N5114 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Anfrage |
läst Nachrichten
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern