MRFE6VP5600HSR5 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk MRFE6VP5600HSR5, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk MRFE6VP5600HSR5 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli MRFE6VP5600HSR5 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
MRFE6VP5600HSR5
- Nomor bagian:
- MRFE6VP5600HSR5
- Pabrikan:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Deskripsi:
- FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 20263 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- MRFE6VP5600HSR5.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Uji: | 50V |
| Tegangan - Nilai: | 130V |
| transistor Jenis: | LDMOS (Dual) |
| Paket Perangkat pemasok: | NI-1230S |
| Seri: | - |
| Listrik - Output: | 600W |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | NI-1230S |
| Nama lain: | 935319677178 |
| kebisingan Gambar: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Mendapatkan: | 25dB |
| Frekuensi: | 230MHz |
| Detil Deskripsi: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230S |
| Peringkat saat ini: | - |
| Saat ini - Uji: | 100mA |
| Nomor Bagian Dasar: | MRFE6VP5600 |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk MRFE6VP5600HSR5
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS