MRFE6VP5600HSR5 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MRFE6VP5600HSR5, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MRFE6VP5600HSR5 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MRFE6VP5600HSR5 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MRFE6VP5600HSR5
- Part Number:
- MRFE6VP5600HSR5
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 20263 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MRFE6VP5600HSR5.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 50V |
| Napětí - Jmenovitá: | 130V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | NI-1230S |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 600W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | NI-1230S |
| Ostatní jména: | 935319677178 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 25dB |
| Frekvence: | 230MHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230S |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 100mA |
| Číslo základní části: | MRFE6VP5600 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MRFE6VP5600HSR5
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný