Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > IXTA1R6N100D2
IXTA1R6N100D2
IXTA1R6N100D2
Nomor bagian:
IXTA1R6N100D2
Pabrikan:
IXYS Corporation
Deskripsi:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
50929 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
IXTA1R6N100D2.pdf
Penyelidikan

pengantar

IXTA1R6N100D2 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IXTA1R6N100D2, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IXTA1R6N100D2 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IXTA1R6N100D2 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-263 (IXTA)
Seri:-
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:10 Ohm @ 800mA, 0V
Power Disipasi (Max):100W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:24 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:645pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 5V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:Depletion Mode
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):1000V
Detil Deskripsi:N-Channel 1000V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk IXTA1R6N100D2

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
IXTA1R6N100D2HV Image IXTA1R6N100D2HV IXYS Corporation MOSFET N-CH Penyelidikan
IXTA20N65X Image IXTA20N65X IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 20A TO-263 Penyelidikan
IXTA1R4N100P Image IXTA1R4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 Penyelidikan
IXTA200N075T Image IXTA200N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 200A TO-263 Penyelidikan
IXTA200N075T7 Image IXTA200N075T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7 Penyelidikan
IXTA1N80 Image IXTA1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 Penyelidikan
IXTA1N200P3HV Image IXTA1N200P3HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV Penyelidikan
IXTA220N04T2-7 Image IXTA220N04T2-7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7 Penyelidikan
IXTA182N055T7 Image IXTA182N055T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 Penyelidikan
IXTA200N085T Image IXTA200N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 Penyelidikan
IXTA18P10T Image IXTA18P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 Penyelidikan
IXTA1N100P Image IXTA1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 Penyelidikan
IXTA1N100 Image IXTA1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 Penyelidikan
IXTA200N085T7 Image IXTA200N085T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7 Penyelidikan
IXTA1R4N120P Image IXTA1R4N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 Penyelidikan
IXTA220N055T Image IXTA220N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 220A TO-263 Penyelidikan
IXTA1R6N50D2 Image IXTA1R6N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK Penyelidikan
IXTA200N055T2 Image IXTA200N055T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 Penyelidikan
IXTA1N120P Image IXTA1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 Penyelidikan
IXTA1N170DHV Image IXTA1N170DHV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 Penyelidikan

Latest Berita