IRLI540N tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IRLI540N, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IRLI540N melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IRLI540N dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IRLI540N
- Nomor bagian:
- IRLI540N
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
- Status Bebas Timbal:
- Berisi timbal / RoHS tidak patuh
- Jumlah stok:
- 26970 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IRLI540N.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | TO-220AB Full-Pak |
| Seri: | HEXFET® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 44 mOhm @ 12A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 54W (Tc) |
| Pengemasan: | Tube |
| Paket / Case: | TO-220-3 Full Pack |
| Nama lain: | *IRLI540N |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 1800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 5V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 4V, 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 100V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 100V 23A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IRLI540N
Latest Berita
- Lengan muncul di Computex 2024: Diharapkan bahwa lebih dari 100 miliar perangkat lengan dapat digunakan untuk AI pada akhir 2025
- Qorvo meluncurkan pendahuluan 5G MMIMO yang luar biasa di industri ini
- Inventaris Siklus Simulasi Bottoming Out, AI Menggerakkan Permintaan Memori Flash Berlanjut
- Rencana Mikron untuk Membangun Pabrik, NAND memori flash dengan harga tinggi atau pemeliharaan
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis