IRLB8314PBF tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IRLB8314PBF, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IRLB8314PBF melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IRLB8314PBF dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IRLB8314PBF
- Nomor bagian:
- IRLB8314PBF
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 30V 184A TO220
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 29754 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IRLB8314PBF.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | TO-220-3 |
| Seri: | HEXFET® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 68A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 125W (Tc) |
| Pengemasan: | Tube |
| Paket / Case: | TO-220-3 |
| Nama lain: | 64-0101PBF 64-0101PBF-ND SP001572766 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 5050pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 4.5V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 4.5V, 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 30V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 30V 130A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IRLB8314PBF
Latest Berita
- Lengan muncul di Computex 2024: Diharapkan bahwa lebih dari 100 miliar perangkat lengan dapat digunakan untuk AI pada akhir 2025
- Qorvo meluncurkan pendahuluan 5G MMIMO yang luar biasa di industri ini
- Inventaris Siklus Simulasi Bottoming Out, AI Menggerakkan Permintaan Memori Flash Berlanjut
- Rencana Mikron untuk Membangun Pabrik, NAND memori flash dengan harga tinggi atau pemeliharaan
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis