IRF6662TRPBF
IRF6662TRPBF
Nomor bagian:
IRF6662TRPBF
Pabrikan:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
33766 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
IRF6662TRPBF.pdf

pengantar

IRF6662TRPBF tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IRF6662TRPBF, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IRF6662TRPBF melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IRF6662TRPBF dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.9V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:DIRECTFET™ MZ
Seri:HEXFET®
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 8.2A, 10V
Power Disipasi (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Pengemasan:Cut Tape (CT)
Paket / Case:DirectFET™ Isometric MZ
Nama lain:IRF6662TRPBFCT
Suhu Operasional:-40°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):100V
Detil Deskripsi:N-Channel 100V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta), 47A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar