IPD530N15N3GBTMA1
IPD530N15N3GBTMA1
Nomor bagian:
IPD530N15N3GBTMA1
Pabrikan:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Deskripsi:
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
49505 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
IPD530N15N3GBTMA1.pdf

pengantar

IPD530N15N3GBTMA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPD530N15N3GBTMA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPD530N15N3GBTMA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPD530N15N3GBTMA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 35µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:PG-TO252-3
Seri:OptiMOS™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:53 mOhm @ 18A, 10V
Power Disipasi (Max):68W (Tc)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nama lain:IPD530N15N3 G
IPD530N15N3 G-ND
IPD530N15N3 GTR-ND
IPD530N15N3G
IPD530N15N3GBTMA1TR
SP000521720
Suhu Operasional:-55°C ~ 175°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:887pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):8V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):150V
Detil Deskripsi:N-Channel 150V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar