IPB70N10S312ATMA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPB70N10S312ATMA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPB70N10S312ATMA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPB70N10S312ATMA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IPB70N10S312ATMA1
- Nomor bagian:
- IPB70N10S312ATMA1
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 24880 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IPB70N10S312ATMA1.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 83µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | PG-TO263-3-2 |
| Seri: | OptiMOS™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 11.3 mOhm @ 70A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 125W (Tc) |
| Pengemasan: | Original-Reel® |
| Paket / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Nama lain: | IPB70N10S3-12INDKR IPB70N10S3-12INDKR-ND IPB70N10S312ATMA1DKR |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 4355pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 100V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IPB70N10S312ATMA1
Latest Berita
- Rencana Mikron untuk Membangun Pabrik, NAND memori flash dengan harga tinggi atau pemeliharaan
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru