HUF75309D3ST
Nomor bagian:
HUF75309D3ST
Pabrikan:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Deskripsi:
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
24990 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
HUF75309D3ST.pdf

pengantar

HUF75309D3ST tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk HUF75309D3ST, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk HUF75309D3ST melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli HUF75309D3ST dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:D-Pak
Seri:UltraFET™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 19A, 10V
Power Disipasi (Max):55W (Tc)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Suhu Operasional:-55°C ~ 175°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 20V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):55V
Detil Deskripsi:N-Channel 55V 19A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar