FDP2710 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk FDP2710, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk FDP2710 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli FDP2710 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
FDP2710
- Nomor bagian:
- FDP2710
- Pabrikan:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 35915 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- 1.FDP2710.pdf2.FDP2710.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Uji: | 7280pF @ 25V |
| Tegangan - Breakdown: | TO-220-3 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 42.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seri: | PowerTrench® |
| Status RoHS: | Tube |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 50A (Tc) |
| Polarisasi: | TO-220-3 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Nomor Bagian Produsen: | FDP2710 |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 101nC @ 10V |
| IGBT Jenis: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| Fitur FET: | N-Channel |
| Deskripsi yang Diperluas: | N-Channel 250V 50A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | - |
| Deskripsi: | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 250V |
| kapasitansi Ratio: | 260W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk FDP2710
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?