FDP2710 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für FDP2710, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FDP2710 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie FDP2710 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
FDP2710
- Artikelnummer:
- FDP2710
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 35915 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.FDP2710.pdf2.FDP2710.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Prüfung: | 7280pF @ 25V |
| Spannung - Durchschlag: | TO-220-3 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 42.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | PowerTrench® |
| RoHS Status: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50A (Tc) |
| Polarisation: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FDP2710 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 101nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 250V 50A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 250V |
| Kapazitätsverhältnis: | 260W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für FDP2710
läst Nachrichten
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?
- NAND Flash Memor