FCP11N60N
Nomor bagian:
FCP11N60N
Pabrikan:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
24104 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
1.FCP11N60N.pdf2.FCP11N60N.pdf

pengantar

FCP11N60N tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk FCP11N60N, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk FCP11N60N melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli FCP11N60N dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-220-3
Seri:SupreMOS™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:299 mOhm @ 5.4A, 10V
Power Disipasi (Max):94W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-220-3
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:39 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1505pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35.6nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):600V
Detil Deskripsi:N-Channel 600V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:10.8A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar