FCB20N60TM tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk FCB20N60TM, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk FCB20N60TM melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli FCB20N60TM dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
FCB20N60TM
- Nomor bagian:
- FCB20N60TM
- Pabrikan:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 26782 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- FCB20N60TM.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | D²PAK |
| Seri: | SuperFET™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 10A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 208W (Tc) |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Nama lain: | FCB20N60TM_NL FCB20N60TM_NLTR FCB20N60TM_NLTR-ND FCB20N60TMTR |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 52 Weeks |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 3080pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 98nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 600V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Nomor Bagian Dasar: | FCB20N60 |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk FCB20N60TM
Latest Berita
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban