Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2012C
EPC2012C
EPC2012C
Nomor bagian:
EPC2012C
Pabrikan:
EPC
Deskripsi:
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
32629 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
EPC2012C.pdf
Penyelidikan

pengantar

EPC2012C tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk EPC2012C, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk EPC2012C melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli EPC2012C dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Paket Perangkat pemasok:Die Outline (4-Solder Bar)
Seri:eGaN®
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3A, 5V
Power Disipasi (Max):-
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:Die
Nama lain:917-1084-2
Suhu Operasional:-40°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:12 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:140pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.3nC @ 5V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):5V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):200V
Detil Deskripsi:N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk EPC2012C

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Penyelidikan
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC1PI8 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Penyelidikan
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Penyelidikan

Latest Berita