BUK662R5-30C,118 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk BUK662R5-30C,118, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk BUK662R5-30C,118 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli BUK662R5-30C,118 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
BUK662R5-30C,118
- Nomor bagian:
- BUK662R5-30C,118
- Pabrikan:
- Nexperia
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- Status Bebas Timbal:
- Berisi timbal / RoHS tidak patuh
- Jumlah stok:
- 24458 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- BUK662R5-30C,118.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | D2PAK |
| Seri: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 2.8 mOhm @ 25A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 204W (Tc) |
| Pengemasan: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Nama lain: | 1727-5520-1 568-6999-1 568-6999-1-ND |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 6960pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 114nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 30V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 30V 100A (Tc) 204W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk BUK662R5-30C,118
Latest Berita
- Rencana Mikron untuk Membangun Pabrik, NAND memori flash dengan harga tinggi atau pemeliharaan
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru