BSO612CVGHUMA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk BSO612CVGHUMA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk BSO612CVGHUMA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli BSO612CVGHUMA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
BSO612CVGHUMA1
- Nomor bagian:
- BSO612CVGHUMA1
- Deskripsi:
- MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 36205 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- BSO612CVGHUMA1.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 20µA |
| Paket Perangkat pemasok: | PG-DSO-8 |
| Seri: | SIPMOS® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 10V |
| Listrik - Max: | 2W |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Nama lain: | BSO612CV G BSO612CV G-ND BSO612CVGHUMA1TR BSO612CVGINTR BSO612CVGINTR-ND BSO612CVGT BSO612CVGXT BSO612CVT BSO612CVXTINTR BSO612CVXTINTR-ND SP000216307 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 340pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| FET Jenis: | N and P-Channel |
| Fitur FET: | Standard |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 60V |
| Detil Deskripsi: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2A |
| Nomor Bagian Dasar: | BSO612 |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk BSO612CVGHUMA1
Latest Berita
- Qorvo meluncurkan pendahuluan 5G MMIMO yang luar biasa di industri ini
- Inventaris Siklus Simulasi Bottoming Out, AI Menggerakkan Permintaan Memori Flash Berlanjut
- Rencana Mikron untuk Membangun Pabrik, NAND memori flash dengan harga tinggi atau pemeliharaan
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC