BSC031N06NS3GATMA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk BSC031N06NS3GATMA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk BSC031N06NS3GATMA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli BSC031N06NS3GATMA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
BSC031N06NS3GATMA1
- Nomor bagian:
- BSC031N06NS3GATMA1
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 36405 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- BSC031N06NS3GATMA1.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 93µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | PG-TDSON-8 |
| Seri: | OptiMOS™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | 8-PowerTDFN |
| Nama lain: | BSC031N06NS3 G BSC031N06NS3 G-ND BSC031N06NS3 GTR BSC031N06NS3 GTR-ND BSC031N06NS3G BSC031N06NS3GATMA1TR SP000451482 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 11000pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 60V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 60V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk BSC031N06NS3GATMA1
Latest Berita
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban