Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > APT23F60B
APT23F60B
APT23F60B
Nomor bagian:
APT23F60B
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
45711 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
1.APT23F60B.pdf2.APT23F60B.pdf
Penyelidikan

pengantar

APT23F60B tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk APT23F60B, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk APT23F60B melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli APT23F60B dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-247 [B]
Seri:POWER MOS 8™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:290 mOhm @ 11A, 10V
Power Disipasi (Max):415W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-247-3
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:4415pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):600V
Detil Deskripsi:N-Channel 600V 24A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk APT23F60B

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
APT24M80B Image APT24M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 Penyelidikan
APT22F120L Image APT22F120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 Penyelidikan
APT24M120L Image APT24M120L Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 Penyelidikan
APT24F50B Image APT24F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 Penyelidikan
APT22F100J Image APT22F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227 Penyelidikan
APT22F80S Image APT22F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK Penyelidikan
APT25GN120B2DQ2G Image APT25GN120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 67A 272W TMAX Penyelidikan
APT20SCD120B Image APT20SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A Penyelidikan
APT22F120B2 Image APT22F120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX Penyelidikan
APT22F80B Image APT22F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 Penyelidikan
APT25GLQ120JCU2 Image APT25GLQ120JCU2 Microsemi PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 Penyelidikan
APT20N60SC3G Image APT20N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK Penyelidikan
APT21M100J Image APT21M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 Penyelidikan
APT20SCD65K Image APT20SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 32A TO220 Penyelidikan
APT24M80S Image APT24M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK Penyelidikan
APT20SCD120S Image APT20SCD120S Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK Penyelidikan
APT23F60S Image APT23F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK Penyelidikan
APT25GF120JCU2 Image APT25GF120JCU2 Microsemi MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 Penyelidikan
APT24M120B2 Image APT24M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX Penyelidikan
APT24F50S Image APT24F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK Penyelidikan

Latest Berita