Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > APT18M80S
APT18M80S
APT18M80S
Nomor bagian:
APT18M80S
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
47403 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
APT18M80S.pdf
Penyelidikan

pengantar

APT18M80S tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk APT18M80S, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk APT18M80S melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli APT18M80S dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:D3Pak
Seri:POWER MOS 8™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:530 mOhm @ 9A, 10V
Power Disipasi (Max):500W (Tc)
Pengemasan:Bulk
Paket / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:3760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):800V
Detil Deskripsi:N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D3Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk APT18M80S

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
APT17F120J Image APT17F120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 Penyelidikan
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 Penyelidikan
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Penyelidikan
APT18M80B Image APT18M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 Penyelidikan
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Penyelidikan
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Penyelidikan
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK Penyelidikan
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Penyelidikan
APT200GN60B2G Image APT200GN60B2G Microsemi IGBT 600V 283A 682W TO247 Penyelidikan
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Penyelidikan
APT20DC120HJ Image APT20DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 Penyelidikan
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP Penyelidikan
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Penyelidikan
APT17F80B Image APT17F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 Penyelidikan
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 Penyelidikan
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK Penyelidikan
APT17F80S Image APT17F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK Penyelidikan
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 Penyelidikan
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD Penyelidikan
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 Penyelidikan

Latest Berita