1N5406 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk 1N5406, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk 1N5406 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli 1N5406 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
1N5406
- Nomor bagian:
- 1N5406
- Pabrikan:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Deskripsi:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- Status Bebas Timbal:
- Berisi timbal / RoHS tidak patuh
- Jumlah stok:
- 54361 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- 1N5406.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Puncak terbalik (Max): | Standard |
| Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika: | 3A |
| Tegangan - Breakdown: | DO-201AD |
| Seri: | - |
| Status RoHS: | Bulk |
| Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistance @ Jika, F: | - |
| Polarisasi: | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Nama lain: | 1N5406OS |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Nomor Bagian Produsen: | 1N5406 |
| Deskripsi yang Diperluas: | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD |
| Konfigurasi diode: | 10µA @ 600V |
| Deskripsi: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr: | 1V @ 3A |
| Saat ini - rata Rectified (Io) (per Diode): | 600V |
| Kapasitansi @ Vr, F: | -65°C ~ 170°C |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk 1N5406
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS