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1N5406
- Modèle de produit:
- 1N5406
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 54361 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1N5406.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 3A |
| Tension - Ventilation: | DO-201AD |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Autres noms: | 1N5406OS |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 1N5406 |
| Description élargie: | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD |
| Configuration diode: | 10µA @ 600V |
| La description: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1V @ 3A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 600V |
| Capacité à Vr, F: | -65°C ~ 170°C |
| Email: | [email protected] |
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