Az W972GG6JB-25 TR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az W972GG6JB-25 TR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetW972GG6JB-25 TRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon W972GG6JB-25 TR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
W972GG6JB-25 TR
- Cikkszám:
- W972GG6JB-25 TR
- Leírás:
- IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 32488 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- W972GG6JB-25 TR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Write Cycle Time - Szó, oldal: | 15ns |
| Feszültségellátás: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technológia: | SDRAM - DDR2 |
| Szállító eszközcsomag: | 84-WBGA (11x13) |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 84-TFBGA |
| Más nevek: | W972GG6JB-25 TR-ND W972GG6JB-25TR |
| Üzemi hőmérséklet: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Memória típusa: | Volatile |
| Memória mérete: | 2Gb (128M x 16) |
| Memória interfész: | Parallel |
| Memória formátum: | DRAM |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 200MHz 400ps 84-WBGA (11x13) |
| Órafrekvencia: | 200MHz |
| Hozzáférési idő: | 400ps |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az W972GG6JB-25 TR-hoz
Latest News
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t